SI4542DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Numero di parte | SI4542DY-T1-GE3 |
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fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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Product parameter
Numero di parte | SI4542DY-T1-GE3 |
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fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 5878 pcs |
Scheda dati | SI4542DY |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA (Min) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.9A, 10V |
Potenza - Max | 2W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Numero di parte base | SI4542 |
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