SI4532ADY-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| Numero di parte | SI4532ADY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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Product parameter
| Numero di parte | SI4532ADY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 6022 pcs |
| Scheda dati | SI4532ADY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Potenza - Max | 1.13W, 1.2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4532ADY-T1-E3-ND SI4532ADY-T1-E3TR SI4532ADYT1E3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A, 3A |
| Numero di parte base | SI4532 |
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