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SI4562DY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Numero di parte SI4562DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4258 pcs
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Numero di parte SI4562DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4258 pcs
Scheda dati SI4562DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 1.6V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Potenza - Max 2W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4562DY-T1-E3-ND
SI4562DY-T1-E3TR
SI4562DYT1E3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -
Numero di parte base SI4562
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