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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > SMUN5211T1G

SMUN5211T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

  • DF3A6.8FUT1G.jpg
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Numero di parte SMUN5211T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 814592 pcs
Prezzo di Riferimento
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Product parameter

Numero di parte SMUN5211T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 814592 pcs
Scheda dati MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3
Foto del prodotto SMUN5211T1G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323)
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 202mW
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323
Altri nomi SMUN5211T1GOSDKR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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