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SMUN5213DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

  • SMF05CT1.jpg
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Numero di parte SMUN5213DW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 686300 pcs
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Product parameter

Numero di parte SMUN5213DW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 686300 pcs
Scheda dati MUN5213DW1, NSBC144EDxx
Foto del prodotto SMUN5213DW1T1G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 187mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi SMUN5213DW1T1GOSCT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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