FQP13N10L
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Numero di parte | FQP13N10L |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.383 | $0.34 | $0.269 | $0.209 | $0.165 | |
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQP13N10L |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 124667 pcs |
| Scheda dati | TO220B03 Pkg DrawingFQP13N10L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 6.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.8A (Tc) |
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