FQP12N60C
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Numero di parte | FQP12N60C |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.957 | $0.864 | $0.694 | $0.54 | $0.447 | |
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQP12N60C |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 83162 pcs |
| Scheda dati | TO220B03 Pkg DrawingFQP12N60C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 225W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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