JANTX1N5551US
Microsemi
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Numero di parte | JANTX1N5551US |
---|---|
fabbricante | Microsemi |
Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 5A B-MELF |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
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$7.111 |
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
Numero di parte | JANTX1N5551US |
---|---|
fabbricante | Microsemi |
Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 5A B-MELF |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
quantità disponibile | 4247 pcs |
Scheda dati | 1N5550US thru 1N5554US |
Foto del prodotto | JANTX1N5551US.jpg |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.2V @ 9A |
Tensione - inversa (Vr) (max) | 400V |
Contenitore dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
Tempo di ripristino inverso (trr) | 2µs |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | SQ-MELF, B |
Altri nomi | 1086-15413 1086-15413-MIL |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Tipo diodo | Standard |
Descrizione dettagliata | Diode Standard 400V 5A Surface Mount B, SQ-MELF |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1µA @ 400V |
Corrente - raddrizzata media (Io) | 5A |
Capacità a Vr, F | - |
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