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JANTX1N5551US

Microsemi

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Numero di parte JANTX1N5551US
fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 5A B-MELF
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 4247 pcs
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Numero di parte JANTX1N5551US
fabbricante Microsemi
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 5A B-MELF
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 4247 pcs
Scheda dati 1N5550US thru 1N5554US
Foto del prodotto JANTX1N5551US.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2V @ 9A
Tensione - inversa (Vr) (max) 400V
Contenitore dispositivo fornitore B, SQ-MELF
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/420
Tempo di ripristino inverso (trr) 2µs
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SQ-MELF, B
Altri nomi 1086-15413
1086-15413-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 400V 5A Surface Mount B, SQ-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1µA @ 400V
Corrente - raddrizzata media (Io) 5A
Capacità a Vr, F -
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