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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR

Micron Technology

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Numero di parte MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 26026 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 26026 pcs
Foto del prodotto MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR.jpg
Categoria Circuiti integrati (ICS)
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore 63-VFBGA (9x11)
Serie -
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 63-VFBGA
Altri nomi 557-1660-1
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
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