R6020ANZC8
LAPIS Semiconductor
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Numero di parte | R6020ANZC8 |
---|---|
fabbricante | LAPIS Semiconductor |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
---|---|---|---|---|---|
$1.631 | $1.458 | $1.195 | $0.968 | $0.816 |
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
Numero di parte | R6020ANZC8 |
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fabbricante | LAPIS Semiconductor |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 44124 pcs |
Scheda dati | R6020ANZ |
Foto del prodotto | R6020ANZC8.jpg |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Vgs (th) (max) a Id | 4.15V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PF |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | TO-3P-3 Full Pack |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 20A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
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