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R6020ANZC8

LAPIS Semiconductor

  • SBT700-06RH-1E.jpg
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Numero di parte R6020ANZC8
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 44124 pcs
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Product parameter

Numero di parte R6020ANZC8
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 44124 pcs
Scheda dati R6020ANZ
Foto del prodotto R6020ANZC8.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 4.15V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 220 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 20A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
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