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SI4010DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Numero di parte SI4010DY-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 138863 pcs
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Product parameter

Numero di parte SI4010DY-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 138863 pcs
Scheda dati SI4010DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) +20V, -16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 6W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4010DY-T1-GE3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31.3A (Tc)
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