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CDBD2SC21200-G

Comchip Technology

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Numero di parte CDBD2SC21200-G
fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 64854 pcs
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Product parameter

Numero di parte CDBD2SC21200-G
fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 64854 pcs
Scheda dati CDBD2SC21200-G
Foto del prodotto CDBD2SC21200-G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 2A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 641-1927
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 6.2A (DC) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io) 6.2A (DC)
Capacità a Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz
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