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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • DF3D6.8MS,LF.jpg
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Numero di parte RN2104(T5L,F,T)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1185958 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Numero di parte RN2104(T5L,F,T)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1185958 pcs
Scheda dati RN2101-06
Foto del prodotto RN2104(T5L,F,T).jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SSM
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 100mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416
Altri nomi RN2104(T5LFT)CT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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