RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Numero di parte | RN1102MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.097 | $0.088 | $0.063 | $0.049 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
| $0.031 | $0.026 | $0.018 | $0.016 | ||
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1102MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1527493 pcs |
| Scheda dati | RN1101-6MFB |
| Foto del prodotto | RN1102MFV,L3F.jpg |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | RN1102MFV(TL3T)CT RN1102MFV(TL3T)CT-ND RN1102MFVL3F(BCT RN1102MFVL3F(BCT-ND RN1102MFVL3FCT |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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