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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR211V00L

UNR211V00L

Panasonic

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Numero di parte UNR211V00L
fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1255760 pcs
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Numero di parte UNR211V00L
fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1255760 pcs
Scheda dati UNR211x Series
Foto del prodotto UNR211V00L.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1.5mA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore Mini3-G1
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 200mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi UN211V-(TX)
UN211V-TX
UN211VTR
UN211VTR-ND
UNR211V00LTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 80MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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