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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > EML20T2R

EML20T2R

LAPIS Semiconductor

  • RSB12JS2T2R.jpg
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Numero di parte EML20T2R
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.15W
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 550055 pcs
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Numero di parte EML20T2R
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.15W
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 550055 pcs
Scheda dati EML20
Foto del prodotto EML20T2R.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore EMT6
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 150mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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