SI7192DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| Numero di parte | SI7192DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.628 | |||||
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7192DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 55171 pcs |
| Scheda dati | SI7192DP |
| Foto del prodotto | SI7192DP-T1-GE3.jpg |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SI7192DP-T1-GE3TR SI7192DPT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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