SI4842BDY-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| Numero di parte | SI4842BDY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.054 | $0.951 | $0.764 | $0.594 | $0.492 | |
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4842BDY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 78003 pcs |
| Scheda dati | SI4842BDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4842BDY-T1-E3CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3650pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 28A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
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