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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > DDA114EH-7

DDA114EH-7

Diodes Incorporated

  • D5V0F4U6V-7.jpg
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Numero di parte DDA114EH-7
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 435895 pcs
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Numero di parte DDA114EH-7
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 435895 pcs
Scheda dati DDA (zzzz) H
Foto del prodotto DDA114EH-7.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 150mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi DDA114EH-7-ND
DDA114EH-7DITR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base DDA114
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