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ALD111933SAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Numero di parte ALD111933SAL
fabbricante Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 54633 pcs
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Product parameter

Numero di parte ALD111933SAL
fabbricante Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 54633 pcs
Scheda dati ALD111933
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 3.35V @ 1µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC
Serie EPAD®
Rds On (max) a Id, Vgs 500 Ohm @ 5.9V
Potenza - Max 500mW
imballaggio Tube
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi 1014-1052
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 10.6V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -
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