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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N6036G

2N6036G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

  • MCR106-6G.jpg
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Numero di parte 2N6036G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 185681 pcs
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Product parameter

Numero di parte 2N6036G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 185681 pcs
Scheda dati 2N6034(35, 36, 38,39)
Foto del prodotto 2N6036G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor PNP - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore TO-225AA
Serie -
Potenza - Max 40W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi 2N6036GOS
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 4A
Numero di parte base 2N6036
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