TK31J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Numero di parte | TK31J60W,S1VQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.54 | $2.902 | $2.619 | $2.194 | ||
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK31J60W,S1VQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 15591 pcs |
| Scheda dati | TK31J60W |
| Foto del prodotto | TK31J60W,S1VQ.jpg |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 1.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
| Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | TK31J60W,S1VQ(O TK31J60WS1VQ |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
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