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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • NZQA5V6XV5T1.jpg
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Numero di parte RN2703JE(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 105636 pcs
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Numero di parte RN2703JE(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 105636 pcs
Scheda dati RN2701JE-06JE
Foto del prodotto RN2703JE(TE85L,F).jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Contenitore dispositivo fornitore ESV
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 100mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-553
Altri nomi RN2703JE(TE85LF)CT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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