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RN1963FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte RN1963FE(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 516635 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN1963FE(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 516635 pcs
Scheda dati RN1961-66FE
Foto del prodotto RN1963FE(TE85L,F).jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore ES6
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 100mW
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi RN1963FE(TE85LF)DKR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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