RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Numero di parte | RN1901FETE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.153 | $0.139 | $0.10 | |||
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1901FETE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 230566 pcs |
| Scheda dati | RN1901-06 |
| Foto del prodotto | RN1901FETE85LF.jpg |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 100mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | RN1901FETE85LFCT |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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