HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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Numero di parte | HN3C10FUTE85LF |
---|---|
fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrizione | TRANSISTOR NPN US6 |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
---|---|---|---|---|---|
$0.225 | $0.188 | $0.165 | $0.141 |
- Parametro del prodotto
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- Notizie correlate
Product parameter
Numero di parte | HN3C10FUTE85LF |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrizione | TRANSISTOR NPN US6 |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 168087 pcs |
Foto del prodotto | HN3C10FUTE85LF.jpg |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 12V |
Tipo transistor | 2 NPN (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | US6 |
Serie | - |
Potenza - Max | 200mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Altri nomi | HN3C10FUTE85LFCT |
temperatura di esercizio | - |
Di rumore (dB tip @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Guadagno | 11.5dB |
Frequenza - transizione | 7GHz |
Descrizione dettagliata | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 80mA |
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