BSM180D12P3C007
LAPIS Semiconductor
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| Numero di parte | BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | SIC POWER MODULE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $190.603 | |||||
- Parametro del prodotto
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- Notizie correlate
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | SIC POWER MODULE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 189 pcs |
| Scheda dati | C Type Taping SpecBSM180D12P3C007 |
| Foto del prodotto | BSM180D12P3C007.jpg |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 5.6V @ 50mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Module |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - |
| Potenza - Max | 880W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | Module |
| Altri nomi | Q9597863 |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
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