BSZ018NE2LSATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| Numero di parte | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.65 | $0.586 | $0.471 | $0.366 | $0.304 | |
- Parametro del prodotto
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- Notizie correlate
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 67132 pcs |
| Scheda dati | BSZ018NE2LS |
| Foto del prodotto | BSZ018NE2LSATMA1.jpg |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSZ018NE2LSATMA1DKR BSZ018NE2LSDKR BSZ018NE2LSDKR-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 23A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 40A (Tc) |
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