SI8261BBD-C-IS
Energy Micro (Silicon Labs)
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| Numero di parte | SI8261BBD-C-IS |
|---|---|
| fabbricante | Energy Micro (Silicon Labs) |
| Descrizione | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.696 | $0.671 | $0.645 | $0.589 | ||
- Parametro del prodotto
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- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8261BBD-C-IS |
|---|---|
| fabbricante | Energy Micro (Silicon Labs) |
| Descrizione | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 52349 pcs |
| Scheda dati | Si826x Datasheet |
| Foto del prodotto | SI8261BBD-C-IS.jpg |
| Categoria | Isolatori |
| Tensione di alimentazione - | 9.4 V ~ 30 V |
| Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
| Tensione - Forward (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
| Tecnologia | Capacitive Coupling |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-SDIP |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tempo di salita / scadenza (Typ) | 5.5ns, 8.5ns |
| Distorsione Larghezza Pulse (Max) | 28ns |
| Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Numero di canali | 1 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
| Corrente - Uscita di picco | 4A |
| Corrente - uscita alta, bassa | 500mA, 1.2A |
| Corrente - DC Forward (If) (Max) | 30mA |
| Immunità transitoria in modalità comune (Min) | 35kV/µs |
| Approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
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