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ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

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Numero di parte ZXMHN6A07T8TA
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 22874 pcs
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Numero di parte ZXMHN6A07T8TA
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 22874 pcs
Scheda dati ZXMHN6A07T8TA
Foto del prodotto ZXMHN6A07T8TA.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SM8
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Potenza - Max 1.6W
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-223-8
Altri nomi 1034-ZXMHN6A07T8CT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 166pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 10V
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A
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