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DMS3017SSD-13

Diodes Incorporated

  • D58V0M4U8MR-13.jpg
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Numero di parte DMS3017SSD-13
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 96668 pcs
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Product parameter

Numero di parte DMS3017SSD-13
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 96668 pcs
Scheda dati DMS3017SSD
Foto del prodotto DMS3017SSD-13.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 12 mOhm @ 9.5A, 10V
Potenza - Max 1.19W
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi DMS3017SSD-13DICT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1276pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.6nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 6A 1.19W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 6A
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