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DMN61D8LVTQ-7

Diodes Incorporated

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Numero di parte DMN61D8LVTQ-7
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 252752 pcs
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Product parameter

Numero di parte DMN61D8LVTQ-7
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 252752 pcs
Scheda dati DMN61D8LVTQ
Foto del prodotto DMN61D8LVTQ-7-001.jpg , DMN61D8LVTQ-7-002.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore TSOT-26
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Potenza - Max 820mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi DMN61D8LVTQ-7DICT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 630mA
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