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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Numero di parte SMMBFJ177LT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS JFET P-CH SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 450657 pcs
Prezzo di Riferimento
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Product parameter

Numero di parte SMMBFJ177LT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS JFET P-CH SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 450657 pcs
Scheda dati MMBFJ177LT1G, SMMBFJ177LT1G
Foto del prodotto SMMBFJ177LT1G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 800mV @ 10nA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 30V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB)
Serie Automotive, AEC-Q101
Resistenza - RDS (on) 300 Ohms
Potenza - Max 225mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SMMBFJ177LT1GOSCT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET P-Channel
Descrizione dettagliata JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 1.5mA @ 15V
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