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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NJVMJB45H11T4G

NJVMJB45H11T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Numero di parte NJVMJB45H11T4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 81763 pcs
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Numero di parte NJVMJB45H11T4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 81763 pcs
Scheda dati MJB4xH11,NJVMJB45H11
Foto del prodotto NJVMJB45H11T4G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Tipo transistor PNP
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK
Serie -
Potenza - Max 2W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi NJVMJB45H11T4G-ND
NJVMJB45H11T4GOSTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 40MHz
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 10A
Numero di parte base MJB45H11
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