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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > MUN5135DW1T1G

MUN5135DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Numero di parte MUN5135DW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1183419 pcs
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Product parameter

Numero di parte MUN5135DW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1183419 pcs
Scheda dati MUN5135DW1, NSBA123JDxx
Foto del prodotto MUN5135DW1T1G.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 250mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi MUN5135DW1T1GOSCT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
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