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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1202S-E

2SB1202S-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Numero di parte 2SB1202S-E
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 50V 5A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 212377 pcs
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Numero di parte 2SB1202S-E
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 50V 5A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 212377 pcs
Scheda dati 2SB1202/2SD1802
Foto del prodotto 2SB1202S-E.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 700mV @ 100mA, 2A
Tipo transistor PNP
Contenitore dispositivo fornitore TP
Serie -
Potenza - Max 1W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi 2SB1202S-E-ND
2SB1202S-EOS
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 150MHz
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 150MHz 1W Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 3A
Numero di parte base 2SB1202
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